- 基于自研装备，定义键合材料新标准
青禾晶元依托自主研发的键合装备，开展 SiC、LTOI、LNOI、SiCOI、SOI、POI、TFLN/TFLT 等先进材料的键合工艺开发。
相关工艺已在我司自有量产线完成验证，具备 成熟的工艺可靠性，可快速导入客户产线。
- 先进材料矩阵
- 覆盖多种半导体及光学材料体系，满足异质集成需求
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- POI衬底
- POI即绝缘体上压电材料（Piezoelectric on Insulator），以高阻硅作为基底、中层为氧化埋层，顶层是一层薄且均匀的单晶LN/LT薄膜层。
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- TFLN/TFLT衬底
- TFLN/TFLT（绝缘衬底上钽酸锂/铌酸锂薄膜），通过智能剥离方式制备的高质量单晶薄膜。
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- SiCOI衬底
- SiCOI（碳化硅-绝缘体复合晶圆），通过独特的制备工艺，充分发挥了HPSI SiC材料的本征特性，可显著提升半导体器件的整体性能(高Q因子)。
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- SOI衬底
- SOI即绝缘体上硅（Silicon on Insulator），通过键合减薄工艺，在绝缘体上形成半导体薄膜。
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- 智能剥离 SOI衬底
- 智能剥离SOI即绝缘体上硅（Silicon on Insulator），是在顶层硅与衬底材料之间加入了二氧化硅层，通过智能剥离技术在绝缘体上形成了半导体薄膜。
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- SiC单晶-单晶复合衬底
- SiC单晶-单晶复合衬底是基于公司创新的先进晶圆键合与剥离转移技术实现的高/低质量SiC复合衬底材料，可以有效降低现有SiC衬底材料的成本并在一定程度上提高器件性能。
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- SiC单晶-多晶复合衬底
- SiC单晶-多晶复合衬底是基于公司创新的先进晶圆键合与剥离转移技术，实现高质量单晶SiC膜层转移到多晶SiC衬底，从而获得低电阻SiC复合衬底。
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- 半绝缘SiC复合衬底
- 半绝缘SiC衬底复合衬底，是利用先进晶圆键合与剥离转移技术实现的高/低质量半绝缘SiC复合衬底材料。
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- Si on SiC复合衬底
- Si（硅）与SiC（碳化硅）的复合衬底，通过键合减薄或H-Cut技术制备而成。
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- 超平坦Si片
- 通过精益的减薄、抛光技术，制备出TTV＜0.5μm的Si衬底，助力高精度加工工艺和先进制程，减少光学畸变和能量损失。
