- 解决方案概述
- 核心解决方案
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针对MicroLED显示制造中的键合痛点,青禾晶元提供全工艺路线键合解决方案,覆盖倒装键合、热压键合、常温键合、混合键合等多种技术路线,满足像素车灯、TV显示屏、AR显示等不同应用场景的量产需求。
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- 核心工艺一:C2C/C2W倒装键合
工艺能力
- 共晶键合(Au-Sn、Au-In)或金属键合(Au-Au、Cu-Cu),实现LED芯片与CMOS晶圆的倒装互连。
核心设备:SAB83系列 C2C&C2W TCB键合设备
- 支持C2C(研发/小批量)和C2W(大批量)
SAB8300半自动 C2C TCB键合设备
- 压力范围1-3000N (1~50N,精度≤±0.5N;51~3000N,精度≤±2N)
- 键合后精度≤±300nm
- 压头控温RT~450℃,升温速率≤2.2s(RT-450℃)
SAB8310 CW 全自动 C2S/C2W TCB键合设备
- 压力范围-30-3000N (选配1:-30~500N,精度0.25N or 1%;选配2:10~3000N,精度±2N)
- 键合后精度≤±500nm
- 压头控温RT~450℃,升温速率≤2.2s(RT-450℃)
- 0.4*0.4-50*50 mm
- 样品尺寸
- 3000N
- 最大压力
- ±300nm
- 键合精度
- 有
- 氢自由基活化
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RT-450℃
升温时间≤2.2s - 加热能力
- SAB8300-半自动
- C2C TCB键合设备

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- 核心工艺一:C2C/C2W倒装键合
工艺能力
- 共晶键合(Au-Sn、Au-In)或金属键合(Au-Au、Cu-Cu),实现LED芯片与CMOS晶圆的倒装互连。
核心设备:SAB83系列 C2C&C2W TCB键合设备
- 支持C2C(研发/小批量)和C2W(大批量)
SAB8300半自动 C2C TCB键合设备
- 压力范围1-3000N (1~50N,精度≤±0.5N;51~3000N,精度≤±2N)
- 键合后精度≤±300nm
- 压头控温RT~450℃,升温速率≤2.2s(RT-450℃)
SAB8310 CW 全自动 C2S/C2W TCB键合设备
- 压力范围-30-3000N (选配1:-30~500N,精度0.25N or 1%;选配2:10~3000N,精度±2N)
- 键合后精度≤±500nm
- 压头控温RT~450℃,升温速率≤2.2s(RT-450℃)
- 1*1-70*70 mm
- 芯片尺寸
- 8-12寸
- 晶圆尺寸
- 3000N
- 最大压力
- ±500nm
- 键合精度
- 氢自由基、等离子体活化
- 活化腔
- SAB8310CW-全自动
- C2S/C2W TCB键合设备

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- 核心工艺二:W2W金属键合-常温键合
工艺能力
- 常温键合的键合层厚度仅~10nm(vs 共晶数百nm),降低刻蚀难度,实现更高像素密度。
核心设备:SAB6110 全自动超高真空常温键合设备
- 常温直接键合,无需加热,消除热应力
- 全尺寸兼容键合
- 精密对准与压力控制
- 全自动化控制、模块化设计
- 高适配性,可灵活实现键合中间层调控设计
- 4-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- ±1%
- 控压精度
- 2
- 靶材数量
- ≤±1μm
- 键合精度
- WPH≥6
- 产能
- SAB6110-全自动
- 超高真空常温键合设备

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- 核心工艺三:Collective W2W混合键合
工艺能力
- W2W混合键合:可垂直堆叠实现全彩,分辨率更高
- C2W混合键合:支持KGD芯片筛选,适用于晶圆尺寸不匹配场景
- Collective W2W混合键合:C2W重组+W2W键合,效率更高
核心设备:SAB6210HB、SAB8210CW/CWW 全自动混合键合设备
- 支持8/12英寸晶圆
- W2W键合精度≤100nm/C2W键合精度≤200nm
- 8210CWW设备支持C2W + W2W双模式集成
- 6-12寸
- 兼容晶圆尺寸
-
≥2.0J/m²
Si-SiO2 - 退火后键合强度
- ≤100nm
- 键合精度
- WPH≥12
- 产能
- SAB6210 HB-全自动
- W2W混合键合设备

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- 核心工艺三:Collective W2W混合键合
工艺能力
- W2W混合键合:可垂直堆叠实现全彩,分辨率更高
- C2W混合键合:支持KGD芯片筛选,适用于晶圆尺寸不匹配场景
- Collective W2W混合键合:C2W重组+W2W键合,效率更高
核心设备:SAB6210HB、SAB8210CW/CWW 全自动混合键合设备
- 支持8/12英寸晶圆
- W2W键合精度≤100nm/C2W键合精度≤200nm
- 8210CWW设备支持C2W + W2W双模式集成
- 8-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- 1*1mm
- 芯片最小尺寸
- 35μm
- 芯片最小厚度
- 可选从下往上
- C2W键合方向
- ≤100nm
- W2W键合精度
- ≤200nm
- C2W键合精度
- SAB8210CWW-全自动
- CWW混合键合设备

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- 核心工艺四:外延层转移
工艺能力
- 将GaN外延从原衬底转移至(100)超平Si衬底。超平Si具有更好的机械强度、更小TTV(0.5μm以内),可提升后续工艺良率。
核心设备:SAB6110 全自动超高真空常温键合设备
- 常温直接键合,无需加热,消除热应力
- 全尺寸兼容键合
- 精密对准与压力控制
- 全自动化控制、模块化设计
- 高适配性,可灵活实现键合中间层调控设计
- 4-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- ±1%
- 控压精度
- 2
- 靶材数量
- ≤±1μm
- 键合精度
- WPH≥6
- 产能
- SAB6110-全自动
- 超高真空常温键合设备

- 核心优势
- 全工艺路线覆盖
- 倒装键合、常温键合、混合键合
- 金属常温键合优势
- 键合层仅~10nm,降低刻蚀难度
- 常温键合实现外延层转移
- 降低键合应力,提升后续工艺良率
- 晶圆尺寸匹配方案
- C2W重组+W2W键合,支持4/6/8寸LED + 8/12寸CMOS
- 应用场景
- 像素车灯(倒装键合)
- AR眼镜(常温键合、混合键合)
- MicroLED全彩显示
















