- 解决方案概述
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青禾晶元提供从晶圆键合到表面处理的全流程先进封装解决方案：混合键合——支持W2W与C2W高精度键合；Fluxless TCB——支持氢自由基原位还原，免助焊剂；临时键合/解键合——优异的键合后TTV表现；超原子束表面处理——清洗芯片划片道的颗粒，提升C2W混合键合良率。
- 核心解决方案
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- 核心工艺一：W2W混合键合
核心设备：SAB6210HB 全自动W2W混合键合设备
- 支持大尺寸晶圆批量生产
- 高键合精度、高键合强度
- 多模块集成：寻边、等离子体活化、清洗、对准键合、精度检测、解键合
- FFU微环境控制，可达ISO Class1
- SAB6210 HB-全自动
- W2W混合键合设备
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- 核心工艺二：C2W混合键合
核心设备：SAB8210CW 全自动C2W混合键合设备
- 高精度键合，键合后精度≤200nm（红外穿透）
- 高键合产能，单键合头产能UPH>400@50nm@3σ
- 兼容最薄35μm、1*1mm—32*32mm尺寸芯片
- 具备Mapping调用/创建功能及KGD分拣功能
- SAB8210CW-全自动
- C2W混合键合设备
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- 核心工艺三：Fluxless TCB
核心设备：SAB8310CW 全自动C2S/C2W TCB键合设备
- 氢自由基原位还原技术，省去涂覆/清洗flux步骤
- 避免助焊剂残留，提升可靠性
- 支持大尺寸芯片、细间距键合
- 可实现Cu-Cu直接键合
- SAB8310CW-全自动
- C2S/C2W TCB键合设备
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- SAB6410TB-全自动
- 临时键合设备
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- SAB6410DB-全自动
- 临时解键合设备
- 核心优势
- Fluxless技术
- 低温氢自由基还原，省去助焊剂工艺
- 高精度
- 键合精度≤±0.5μm（TCB）/≤100nm（W2W混合键合）
- 全流程解决方案
- 覆盖W2W及C2W混合键合、C2W TCB、临时键合
- 临时键合
- TTV低于3μm
- 原子级表面处理
- 实现芯片切割道清洗，提升键合良率
- 应用场景
- HBM堆叠
- CoWoS
- Chiplet异构集成
- 3D IC
