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Si-on-SiC substrate
Si on SiC复合衬底
Si(硅)与SiC(碳化硅)的复合衬底,通过键合减薄或H-Cut技术制备而成,得益于 SiC 的高热导率和抗辐射性,从而能够有效处理自热效应,同时,结合了Si和SiC两种材料的优点,在多个高增长领域展现出重要应用价值。
Si on SiC复合衬底

  • Items
  • Specification
  • Diameter
  • 150±0.2 mm
  • Sl Orientation
  • <100>, <110>, <111>, etc.
  • Si Type
  • P/N
  • Transfer Si layer Thickness
  • ≥0.1 μm
  • Front Roughness
  • Ra≤0.2 nm (5 μm * 5 μm)
  • SiC Polytope
  • 4H
  • SiC Resistivity
  • 0.015~0.025/≥1E8 ohm·cm
  • Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection)
  • None
  • TTV
  • ≤5 μm
  • Thickness
  • 350/500±25 μm
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