一站式整线设计
- 整线解决方案 · 从设备到量产植入
- 关键核心设备自研自产，加工设备定制甄选，覆盖清洗→离子注入→键合→超原子束Trim→氧化/多晶→裂片/退火，完整工艺闭环。
工艺赋能：H-CUT工艺路线 / GRD+TRIM工艺路线 · 量产植入 · 技术迭代
- 清洗设备
- 专为2-12英寸硅片及化合物半导体衬底设计的高精密湿法清洗设备，在独立密闭腔体内单次处理一片晶圆。核心配置PVA Brush（高吸湿、高弹性、耐磨防静电）与Mega-sonic喷嘴（微射流效应高效去除非纳米颗粒，低损伤），结合摆臂自定义扫描，实现高均匀性清洗与干燥，是保障键合、刻蚀等前道良率的关键装备。
- 离子注入
- 专为6/8英寸晶圆掺杂工艺设计。采用金属离子源与质量分析磁场，实现H⁺等离子注入（能量10-200keV，剂量3E11-1.7E17）。支持多片（25片/批）高效注入，剂量均匀性≤0.3%，兼容350-700μm厚度多种材料，确保高产能与注入稳定性。
- 键合设备
- 在超高真空（<10⁻⁵Pa）下，利用高速氮原子/离子轰击去除氧化膜，并通过原位溅射沉积纳米薄膜，实现常温（约25℃）下原子级牢固键合。集成活化加压原位设计，适配SiC、POI、柔性电子等多材料异质集成，有效消除热失配应力，提升键合强度与产能。
- 关联测试设备
- 用中性原子团簇束完成晶圆、光学元件的纳米级精密修整，是国产替代离子束抛光（IBF）核心装备
- 超原子束Trim
- 基于气体团簇离子束（GCIB）技术，通过纳米级团簇实现低损伤、原子级平坦化刻蚀。利用横向溅射与高去除速率，精准修正晶圆表面膜厚不均，特别适用于SAW/BAW滤波器频率校正及表面改性，提升器件性能与一致性。
- 氧化多晶立式炉
- 立式五段温区与串级PID控制，兼容6/8英寸及透明/非透明片。集干氧/湿氧氧化（SiO₂层膜厚达1.2μm）与低压化学气相沉积（氧化硅/氮化硅/多晶硅）于一体，支持LPSIN、LPTEOS等多种工艺，适用于栅氧化层、隔离层、牺牲层、钝化层及光波导等工艺需求。
- 裂片退火卧式炉
- 专为中温工艺（150-600℃）设计的卧式炉管设备。采用五段独立温区与R型热电偶，恒温区精度±1℃，单点稳定性±0.5℃/24h。集成N₂、O₂、CDA气路，PLC全自动控制推拉舟（定位≤±1.0mm），并配备SECS/GEM通讯接口，精准实现氧化、退火等热处理。
工艺路线 & 量产植入
设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- H-CUT 工艺路线实现200-600nm单晶薄膜与硅基衬底结合，LN & BOX膜厚±1%以内。
- GRD+TRIM 工艺路线高精度表面处理，保障键合界面完美兼容。
工艺调试 & 量产植入 & 技术迭代，从实验室到FAB全程陪跑。
应用场景全覆盖
- 新建材料量产产线
- 已有产线扩建升级
- 高校/科研机构实验室
- 新材料中试线
- 为什么选择青禾晶元整线方案？
- 我们交付的不是一台设备，而是一条“按材料调好、按工艺配好、按产能验证好”的量产线。
整线交付，做不出产品我们负责。
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- 材料领先
- LTOI / LNOI / SiC 复合衬底性能比肩国际，已在头部客户端验证。
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- 设备自主可控
- 关键核心设备自研自产，加工设备定制甄选，保障供应链安全与交付周期。
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- 整线工艺耦合
- 前后工序设备深度耦合，告别自行拼凑的匹配周期长、选型失误、试错成本高。
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- 工艺成熟
- 全流程工艺验证，膜厚控制精度 ±1% 以内，支撑量产稳定输出。
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- 降本增效
- SiC 衬底高质量回收 50 次，LN/LT 回收工艺，大幅降低材料成本。
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- 专利布局 + 团队专业
- 自主知识产权体系，有效规避技术封锁；三大验证推演，闭环落地保障。
天津先进键合材料研发及生产线
