- 解决方案概述
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针对GaN功率器件的散热难题，青禾晶元提供衬底转移+常温键合解决方案：将GaN外延层转移至金刚石衬底上，大幅提升散热能力。
- 核心解决方案
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- 核心工艺：常温键合
核心设备：SAB6100半自动/SAB6110全自动 超高真空常温键合设备
- 表面活化+超高真空环境下直接键合，无需加热
- 避免异种材料（GaN与金刚石）热膨胀系数失配导致的热应力
- 可选中间层（Si、Al₂O₃、Ti等），精准调控界面特性
- SAB6110-全自动
- 超高真空常温键合设备
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- 核心工艺：常温键合
核心设备：SAB6100半自动/SAB6110全自动 超高真空常温键合设备
- 表面活化+超高真空环境下直接键合，无需加热
- 避免异种材料（GaN与金刚石）热膨胀系数失配导致的热应力
- 可选中间层（Si、Al₂O₃、Ti等），精准调控界面特性
- SAB6100-半自动
- 超高真空常温键合设备
- 核心优势
- 超原子束抛光
- 实现亚纳米级粗糙度，无损伤加工
- 常温键合
- 无需加热，解决异质材料热失配问题
- 灵活中间层
- 支持Si、Al₂O₃、Ti等多种材料，按需调控
- 全流程覆盖
- 抛光→键合→衬底转移，一站式交付
- 应用场景
- GaN功率放大器
- GaN HEMT器件
- 其他散热管理场景，如GaAs器件、氧化镓器件
