- 解决方案概述
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针对硅光异质集成的痛点，青禾晶元提供超原子束表面处理+异质键合全流程解决方案。超原子束技术实现晶圆级厚度均匀性修正（TRIM）、波导侧壁抛光、表面粗糙度优化；结合C2W/W2W异质键合技术，实现LNOI、InP、GaAs等多种光学材料与硅光晶圆的异质集成。
- 核心解决方案
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- 核心工艺一：超原子束表面处理
工艺能力
- 超原子束由成百上千原子组成团簇，整体动能高但单粒子能量极低，仅作用于浅表层，实现原子级逐层剥离。可精确控制刻蚀剂量，实现纳米级波长调整，表面粗糙度仅轻微增加。
核心应用
- SOI顶层硅厚度均匀性提升
- 硅基微环谐振器波长修正
- SiN膜厚均匀性改善
- 波导侧壁抛光
核心设备：SAB961X 全自动超原子束TRIM设备
- 晶圆尺寸：最大12英寸
- 去除效率：800 A·cm²/s @SiO₂
- 束流强度：100μA @Ar
- 团簇离子能量：60keV
- SAB961X-全自动
- 超原子束TRIM设备
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- 核心工艺二：异质集成键合
工艺能力
- 亲水键合（C2W或W2W）：适用于LNOI、InP等与硅光晶圆集成
核心设备：SAB6210/SAB8210CW 全自动W2W/C2W亲水性键合设备
- 键合精度：±50μm@W2W边缘对准，±3μm@C2W芯片边缘对准
- C2W键合设备兼容混合键合，精度＜500nm
- Chip尺寸：1×1mm~32×32mm
- SAB6210-全自动
- 亲水性键合设备
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- 核心工艺二：异质集成键合
工艺能力
- 亲水键合（C2W或W2W）：适用于LNOI、InP等与硅光晶圆集成
核心设备：SAB6210/SAB8210CW 全自动W2W/C2W亲水性键合设备
- 键合精度：±50μm@W2W边缘对准，±3μm@C2W芯片边缘对准
- C2W键合设备兼容混合键合，精度＜500nm
- Chip尺寸：1×1mm~32×32mm
- SAB8210CW-全自动
- C2W混合键合设备
- 核心优势
- 超原子束TRIM
- 波导层厚度range可优化至1nm，而不显著增加表面粗糙度
- 波导侧壁抛光
- 消除刻蚀侧壁波纹，显著降低光散射损耗
- 高精度异质键合
- C2W同时支持裸Chip异质集成、图案Chip高精度混合键合
- 全流程覆盖
- TRIM+抛光+键合，一站式交付
- 应用场景
- LNOI高速调制器
- 硅光异质集成（III-V/Si）
- 量子光学芯片
