针对其原材料稀缺的行业痛点，青禾晶元自主研发的高端键合设备与工艺迭代，成功攻克掺镁铌酸锂晶圆多次回收利用技术瓶颈，为这种“量子级”战略材料的可持续发展提供了专属解决方案。通过掺镁铌酸锂晶圆的多次回收利用，不仅大幅降低了生产成本，更缩短了产品加工周期，为掺镁铌酸锂薄膜的批量生产、规模化应用奠定了坚实基础，助力我国在量子科技核心材料领域打破技术与资源双重制约。

产品实物图

掺镁铌酸锂薄膜（MgO:TFLN）被业界誉为“量子光子芯片的基石”。相比普通铌酸锂，它的抗光折变性能高出两个数量级，兼具超高电光系数、超大二阶非线性效应、低光学损耗等特质，在高功率量子器件中具备不可替代的优势，在国际上也有“中国之星”的美誉。基于青禾晶元提供的掺镁铌酸锂薄膜晶圆，科研团队在多个方向实现突破。

面对资源稀缺与进口依赖的双重压力，青禾晶元通过自主研发的高端键合设备与低损伤表面处理技术，成功实现了掺镁铌酸锂晶圆的多次回收利用，彻底改变了传统晶圆“一次性使用”的行业格局。经权威检测，采用回收晶圆重新制备的薄膜，其电光系数、非线性效率、光学损耗等核心性能与原生材料无显著差异，器件良率与稳定性保持一致，完全满足量子器件、高速光模块等高端应用需求。

膜厚map

几何形貌

粗糙度数据

目前该技术已实现产业化应用，单片晶圆实现了三次以上循环使用。这不仅大幅降低了对高纯铌资源的原始需求量、缓解了进口依赖，更显著降低了生产成本、缩短了加工周期，为掺镁铌酸锂薄膜的批量生产与规模化应用扫清了原材料障碍。

当前，全球量子科技产业进入加速期，我国也将量子信息列为重点前沿科技领域。作为量子科技、高速光通信的核心基础材料，掺镁铌酸锂薄膜的市场需求将持续高速增长。随着800G、1.6T光模块需求持续放量，3.2T时代渐行渐近，薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，正迎来产业化导入窗口期。据行业券商测算，2031年全球薄膜铌酸锂调制器芯片及器件市场规模有望接近30亿元，对应2029-2031年复合增长率达271%。