近日，2026原子级制造创新发展大会在吉林长春圆满落幕。大会同期，由原子级制造创新发展联盟主办的“2026原子级制造技术创新应用大赛决赛”结果正式揭晓。大赛集结了全国多支优质科研团队，围绕学术论文与应用解决方案两大赛道展开巅峰对决。青禾晶元凭借在原子级制造领域深厚的技术积淀与创新实践成果脱颖而出，荣获“应用解决方案赛道三等奖”，原子级制造作为引领新一轮科技革命与产业变革的颠覆性“根技术”，是培育新质生产力的核心战略方向，更是全球科技与产业竞争的制高点。

此次获奖，是对青禾晶元在原子级精密制造领域技术实力的权威认可，青禾晶元长期深耕半导体键合技术，键合工艺对原子级平整界面的高要求，驱动公司积累了深厚的表面处理能力。此次获奖的超原子束TRIM设备，正是键合工艺中积累的原子级界面管控能力在装备层面的集中体现。标志着公司在原子级表面处理领域上实现了自主突破，为原子级精密制造领域高端键合产品的终极良率提供了坚实的技术与装备支撑。

原子制造核心支撑

夯实战略产业制造根基

青禾晶元超原子束TRIM设备面向国家原子级制造战略需求，可实现材料原子级加工精度，具备材料表面抛光、膜厚修整、面型修整等超精密加工功能，是突破超硬材料(如金刚石)/复杂曲面/光学产品抛光、功能结构表面损伤层去除、半导体薄膜超精密TRIMMING的核心制造装备，与传统单离子束相比，具有超低损伤、超光滑、超洁净等优势，可广泛应用于集成电路、超精密光学、光通讯、量子计算等关键领域，是我国原子级制造自主可控的核心标志性装备。

四大技术优势

铸就原子级表面处理新基准

支持自动化上下料，高能量超原子束实现高效批量生产，关键指标达束流强度≥100μA、束流能量≥60keV，满足量产级稳定性要求。

兼容12英寸晶圆，可实现膜厚修整、面型修整功能，膜厚修整均匀性达到1σ＜1nm@SiO₂ （原膜厚1σ＜5nm）；原子级平坦化表面直接提升键合界面范德华力接触面积，从源头降低空洞与裂片风险。

采用中性超原子束加工新原理，区别传统带电单离子束，从根源杜绝静电累积、深层晶格损伤、加工应力及表面杂质污染。

集成材料表面抛光、膜厚修整、面型修整等超精密加工功能，可灵活应对各类复杂工艺需求。