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MicroLED键合集成解决方案

行业痛点

LED晶圆(4/6/8寸)与CMOS晶圆(8/12寸)尺寸不匹配,利用率低
蓝宝石衬底与Si热膨胀系数不匹配,键合应力大
传统共晶键合键合层厚(数百nm),刻蚀难度大,影响像素密度
核心解决方案
针对MicroLED显示制造中的键合痛点,青禾晶元提供全工艺路线键合解决方案,覆盖倒装键合、热压键合、常温键合、混合键合等多种技术路线,满足像素车灯、TV显示屏、AR显示等不同应用场景的量产需求。

核心工艺一:C2C/C2W倒装键合

核心工艺二:W2W金属键合-常温键合


核心工艺三:Collective W2W混合键合


核心工艺四:外延层转移

核心优势
全工艺路线覆盖
倒装键合、常温键合、混合键合
金属常温键合优势
键合层仅~10nm,降低刻蚀难度
常温键合实现外延层转移
降低键合应力,提升后续工艺良率
晶圆尺寸匹配方案
C2W重组+W2W键合,支持4/6/8寸LED + 8/12寸CMOS
应用场景
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